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MOS管的分类与测量
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻
高(108~109Ω)、噪音小、能耗低、动态范围大、便于集成、没有再次击穿现象、安全工作区域宽泛等优点,现
已成为功率晶体管和双极型晶体管的强大竞争者。
一、认识场效应管符号:
“Q、VT”,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流
的,是电压控制器件
场效应管分三个极
D极为漏极(供电极);
S极为源极(输出极);
G极为栅极(控制极);
D极和S极可互换使用。 
二、场效应管的分类:
目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的不同可分为N沟道和P沟道管(结型和绝缘栅型分别分类),绝缘栅型又分为增强型和耗尽型,一般电路板上大多是绝缘栅型管既称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道MOS管,其次是增强型的P沟道MOS管,结型管和耗尽型管几乎不作为使用。
三、效应管的特性:
a、工作条件:D极要有供电,G极要有控制电压   
b、主板上的场管N沟道多,G极电压越高,S极输出电压越高   
c、主板上的场管G极电压达到12V时,DS完全导通,个别主板上5V导通   
d、mos管的DS功能可互换   
e、N沟道场管的导通截止电压:
在实际上电操作中,mos管所需导通条件:VG>VS ,VGS=0.45V—3V时,mos管处于导通状态,且VGS越大,ID越大;)截止条件:VG
四、场效应管的作用:
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。
五、场效应管的识别、测量及好坏判断
1、结型场效应管的管脚识别:结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。
极性及管型判断
红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道,红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道,如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿,贴片MOS管与三极管难以区分,先按三极管测,如果不是按场管测场管测量时,最好取下来测,在电路板上测量会影响结果准确性。
 测D、S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“O”且长响,表示场管击穿;如果显示“1”,则表示场管为开路;软击穿(测量是好的,换到电路板上是测量后是坏的),原因是场管输出不受G极控制。
六、场效应管的代换原则(只适合主板)
MOS场管代换,只需尺寸大小相同,分清N沟道和P沟道即可,另外功率大的可以代换功率小的MOS场管!值得注意的是板子上的场管最好原值代换!
 
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